Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 380 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 350mW |
Frequency - Transition | 200MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Корпус | TO-92-3 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
5 525
|
5.17
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
12 785
|
4.24
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
952
|
3.10
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
6 680
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
76 577
|
0.75
>1000 шт. 0.15
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.05
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.14
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
APL1084UC-TR |
|
|
ANPEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
APL1084UC-TR |
|
|
ANPEC ELECTRONICS
|
4 220
|
|
|
|
|
APL1084UC-TR |
|
|
|
|
|
|
|
|
APL1084UC-TR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
292
|
|
|
|
|
LM2576S-3.3 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2576S-3.3 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM2576S-3.3 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263
|
|
1
|
453.60
|
|
|
|
LM2576S-3.3 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2576S-3.3 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2576S-3.3 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2576S-3.3 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2576S-3.3 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263
|
YOUTAI
|
558
|
46.66
|
|
|
|
LM2576S-3.3 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
LM2576S-3.3 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263
|
UMW
|
280
|
66.12
|
|
|
|
LM2576S-3.3 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
695
|
|
|
|
|
LMC6484AIM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LMC6484AIM |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LMC6484AIM |
|
|
|
|
297.12
|
|
|
|
LMC6484AIM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LMC6484AIM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
516
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
|
112
|
24.05
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
200
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
596
|
|
|