|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
|
4
|
9.85
|
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
NXP
|
2 577
|
|
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
PHILIPS
|
20 441
|
|
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
74HC10D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 3 х 3
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
53
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
893
|
3.18
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
68 792
|
1.82
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
541
|
1.56
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
18 091
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
632 624
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
519 864
|
1.07
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.17
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
1 840
|
4.13
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
7 837
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
138
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
50 095
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
45 511
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
2 464
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
1 840
|
1.68
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ASEMI
|
29 532
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FTDI
|
78
|
588.00
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
|
1
|
592.00
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FUTURE TECHNOLO
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FUTURE TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
560
|
|
|
|
|
LMC7211AIM5/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LMC7211AIM5/NOPB |
|
|
|
|
114.80
|
|
|
|
LMC7211AIM5/NOPB |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LMC7211AIM5/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
281
|
|
|
|
|
LMC7211AIM5/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LMC7211AIM5/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LMC7211AIM5/NOPB |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
584
|
|
|
|
|
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD
|
|
|
172.00
|
|
|
|
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD
|
ВОURNS
|
|
|
|