IRF7705TR

Версия для печати

Технические характеристики IRF7705TR

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	88nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2774pF @ 25V
Power - Max	1.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус	8-TSSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.