IRF6648TR1
|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 150µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 86A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 17A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2120pF @ 25V |
| Power - Max | 2.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric MN |
| Корпус | DIRECTFET™ MN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
