Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 20A, 5V |
Power - Max | 200W |
Frequency - Transition | 4MHz |
Тип монтажа | Шасси |
Корпус (размер) | TO-204AA, TO-3 (2 Leads + case) |
Корпус | TO-3 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IR2113S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2113S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
|
|
148.88
|
|
|
|
IR2113S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2113S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2113S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2113S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
56
|
|
|
|
|
MJ11015G |
|
TO3
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJ11015G |
|
TO3
|
|
|
711.92
|
|
|
|
MJ11015G |
|
TO3
|
ONS
|
22
|
662.77
|
|
|
|
MJ11015G |
|
TO3
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
|
6
|
194.04
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
ONS
|
509
|
124.29
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15032G |
|
NPN 250V, 8A, 50W
|
JSMICRO
|
612
|
43.39
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
|
|
144.00
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONS
|
332
|
139.17
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
SPTECH
|
788
|
32.63
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
JSMICRO
|
160
|
43.14
|
|
|
|
СП3-30Г-0,25-2,2 КОМ-20%-А |
|
|
|
|
|
|