|  |  | Наименование |  | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | 
					
                                        						
                                                        |  |   | 74HC257N |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 2->1 х 4 Выход - 3 сост | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | 74HC257N |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 2->1 х 4 Выход - 3 сост |  |   | 21.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | 74HC257N |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 2->1 х 4 Выход - 3 сост | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | 74HC257N |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 2->1 х 4 Выход - 3 сост | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | 74HC257N |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 2->1 х 4 Выход - 3 сост | TEXAS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | 74HC257N |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 2->1 х 4 Выход - 3 сост | 4-7 НЕДЕЛЬ | 113 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | NXP | 2 892 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) |  | 90 384 | 1.06 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | ON SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | GALAXY | 485 | 2.07 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | NXP | 3 888 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | Diodes Inc |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DI |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DC COMPONENTS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DIODES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DIOTEC | 15 312 | 2.31 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | ONSEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | INFINEON | 102 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | HOTTECH | 40 921 | 1.36 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | PANJIT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | SEMTECH | 11 | 2.78 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | WUXI XUYANG | 52 | 2.46 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | SEMICRON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | KOME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | NXP/NEXPERIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | YANGJIE (YJ) |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | JSCJ | 12 064 | 1.08 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | YJ | 246 964 | 2.07 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | XXW | 55 678 | 1.17 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | CJ | 7 720 | 1.06 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | KEEN SIDE | 464 | 1.04 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | MERRYELC | 68 | 1.05 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DIOTEC | 222 824 | 1.33 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DC COMPONENTS | 107 294 | 1.33 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | GALAXY |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | MCC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | UTC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) |  | 58 071 | 1.34 >100 шт.   0.67
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FAIRCHILD | 325 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | LI-SION TECHNOLOGY INC. |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NATIONAL SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | KEC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NXP | 4 345 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DIOTEC SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FSC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | ONS-FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PANJIT | 27 200 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FAIRCHILD | 3 467 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | INFINEON | 800 | 4.91 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | HOTTECH | 495 978 | 1.68 >100 шт.   0.84
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | ARK |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | АЛЕКСАНДРОВ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | KLS | 568 | 1.88 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NEXPERIA | 333 826 | 1.17 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DIODES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YANGJIE (YJ) |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PANJIT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | SEMTECH | 336 | 1.33 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PJ | 6 378 | 1.20 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YANGJIE | 2 039 949 | 1.50 >500 шт.   0.50
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YJ | 1 484 974 | 1.52 >100 шт.   0.76
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | JSCJ | 221 348 | 1.62 >100 шт.   0.81
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NXP/NEXPERIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | TRR | 67 200 | 1.03 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | SUNTAN | 113 388 | 1.58 >100 шт.   0.79
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | JINGDAO | 18 144 | 1.30 >100 шт.   0.65
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | TRR ELECTRONICS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | HOTTECCN | 1 710 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | CJ | 8 000 | 5.12 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YANGZHOU YANGJIE |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | KEEN SIDE | 239 470 | 1.32 >500 шт.   0.44
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) |  | 38 160 | 1.24 >100 шт.   0.62
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | DC COMPONENTS | 23 245 | 1.48 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | DIOTEC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | DI |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | NXP | 36 964 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | PHILIPS SEMIC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | DIODES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | HOTTECH | 61 222 | 1.62 >100 шт.   0.81
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | SUNTAN | 708 | 1.04 >100 шт.   0.52
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | YJ | 350 704 | 1.72 >100 шт.   0.86
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | XSEMI | 27 065 | 1.48 >100 шт.   0.74
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | YANGZHOU YANGJIE |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847A |   | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C) | KEEN SIDE | 15 320 | 1.38 >100 шт.   0.69
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC16F630-I/P |   | 1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В | MICRO CHIP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC16F630-I/P |   | 1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В |  | 172 | 231.25 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC16F630-I/P |   | 1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В | MICRO CHIP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC16F630-I/P |   | 1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В | Microchip Technology |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC16F630-I/P |   | 1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В | ТАИЛАНД |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC16F630-I/P |   | 1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В | 4-7 НЕДЕЛЬ | 438 |   |  |