|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 100-LQFP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 4x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.25 V ~ 2.75 V |
| Размер памяти | 64K x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 256KB (256K x 8) |
| Число вводов/выводов | 42 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | Ethernet, I²C, IrDA, Microwire, QEI, SPI, SSI, UART/USART |
| Скорость | 50MHz |
| Размер ядра | 32-Bit |
| Процессор | ARM® Cortex-M3™ |
| Серия | Stellaris® 6000 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RASPBERRY-PI / PROG-4GB-SDCARD | SAM |
|
|
|||||
| RASPBERRY-PI / PROG-4GB-SDCARD |
|
|
||||||
| RASPBERRY-PI / PROG-4GB-SDCARD | SAMSUNG | 147 | 652.13 | |||||
|
|
STM-203 ON-OFF-ON |
|
|
|||||
|
|
|
STP10NK80Z |
|
N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-220 zener-protected supermeshtm mosfet | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP10NK80Z |
|
N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-220 zener-protected supermeshtm mosfet | 4 | 262.08 | ||
|
|
|
STP10NK80Z |
|
N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-220 zener-protected supermeshtm mosfet | STMicroelectronics |
|
|
|
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 БЕЛ. 0.5М |
|
30.76 | ||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 БЕЛ. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 БЕЛ. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М |
|
30.76 | ||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|