| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-X7R-5600PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 5600 пФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
0805-X7R-5600PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 5600 пФ 50 В
|
|
100
|
1.60
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
DC COMPONENTS
|
1 778
|
16.31
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
|
8 547
|
3.10
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
MIC
|
8
|
5.04
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
КИТАЙ
|
8
|
24.20
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YJ
|
36 171
|
3.28
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
14
|
9.01
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
---
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KLS
|
236
|
6.21
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGJIE
|
24 640
|
3.49
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
HOTTECH
|
10 405
|
3.54
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
WUXI XUYANG
|
3
|
8.22
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
0.00
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SEP
|
8
|
25.51
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
TRR
|
1 520
|
2.37
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KOME
|
3 863
|
4.32
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KEEN SIDE
|
5 513
|
2.03
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
RUME
|
8 040
|
2.37
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS
|
2
|
60.48
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
|
4
|
102.06
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
1
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
333
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
431
|
13.62
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
16.40
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
171
|
16.96
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 272
|
16.96
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
9.23
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
|
|
|
|
|
|
КТ361А2 |
|
|
|
|
3.88
|
|
|
|
|
КТ361А2 |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ361А2 |
|
|
МИНСК
|
392
|
6.36
|
|
|
|
|
КТ361А2 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
14.05
|
|
|
|
|
КТ361А2 |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
41
|
2.86
|
|
|
|
|
КТ361А2 |
|
|
БРЯНСК
|
126
|
6.36
|
|
|
|
|
КТ361А2 |
|
|
158
|
|
|
|
|
|
|
КТ361А2 |
|
|
52
|
|
|
|