2SC2570A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SC2570A (ПЛАНЕТА)	52	43.47

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SC2570A (Дискретные сигналы)

High Frequency Low Noise Amplifier Npn Silicon Epitaxial Transistor

Также в этом файле: 2SC2570A-T

Производитель:
NEC
//www.ncsd.necel.com

2SC2570A datasheet
121.75Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
NP0 100PF 5% 50V		SUNTAN
NP0 100PF 5% 50V		КИТАЙ
NP0 100PF 5% 50V
К10-17Б-NPO-75ПФ 50 (5%)
КР1158ЕН3В	Трехвыводнойлинейный стабилизатор с низким проходным напряжением на рядфиксированных ...			86.40
КР1158ЕН3В	Трехвыводнойлинейный стабилизатор с низким проходным напряжением на рядфиксированных ...	НТЦ СИТ	105	139.86
КР1158ЕН3В	Трехвыводнойлинейный стабилизатор с низким проходным напряжением на рядфиксированных ...	СИТ
КР1158ЕН3В	Трехвыводнойлинейный стабилизатор с низким проходным напряжением на рядфиксированных ...	НТЦ
КР1158ЕН3В	Трехвыводнойлинейный стабилизатор с низким проходным напряжением на рядфиксированных ...	БРЯНСК	460	205.80
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		338	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	26.46
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 271	37.80
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	42.36
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
СП3-19Б-0.5-150ОМ 10% В		АРЗАМАС