| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
DC COMPONENTS
|
12 916
|
1.25
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
|
|
12.24
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
NXP
|
14
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
PHILIPS
|
22 181
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
|
40
|
8.82
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
28
|
5.25
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
19 776
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
4
|
2.07
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
LGE
|
9 152
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
ST MICROELECTRONICS
|
181
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
WUXI XUYANG
|
4 305
|
1.25
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
227
|
|
|
|
|
|
КР1426УД1 |
|
|
|
31
|
160.06
|
|
|
|
КР1426УД1 |
|
|
ТОНДИ
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
|
45
|
30.24
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
|
2
|
75.60
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
СЗТП
|
80
|
160.06
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|