Версия для печати
Технические характеристики LM2575D2T-12

Корпус	D2PAK
Корпус (размер)	TO-263-6, D²Pak (5 leads + Tab), TO-263BA
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение входное	4.75 V ~ 40 V
Частота переключения	52kHz
Ток выходной	1A
Напряжение выходное	12V
Число выходов	1
Synchronous Rectifier	Нет
Внутренняя коммутация	Да
Тип	Step-Down (Buck)
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

LM2575 1.0 A, Adjustable Output Voltage, Step-Down Switching Regulator Также в этом файле: LM2575D2T-12, LM2575D2T-12R4 Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com LM2575D2T-12 datasheet 258.46Kb 26стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

DC/DC регуляторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	12	67.84
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	RECTIFIER
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...		21	98.28
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	МЕКСИКА
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	3
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	INFINEON
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	1
		IRF630N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9.3A@T=25C, Id=6.5A@T=100C, Rds=0.30 ...	JSMICRO	1	26.40
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W	VISHAY
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W		618	40.04
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W	Vishay/Siliconix
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W	КИТАЙ
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W	1
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY	18	1 125.45
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	DC COMPONENTS	127	92.05
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MCC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WTE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V		3	218.30
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	QUAN-HONG
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	КИТАЙ
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MIC	380	61.24
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YJ	13 624	65.09
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KINGTRONICS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY ME
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WUXI XUYANG	1 393	67.91
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE	11 120	73.19
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE (YJ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KLS	3 680	113.65
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	SEP
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	HOTTECH
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGZHOU YANGJIE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	RUICHI	4	80.82
		VS-80EPF06			VISHAY

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"