SPP04N60S5
(BUZ91A)600В 0.95Ом
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | CoolMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 22.9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 580pF @ 25V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SPP04N60S5 (Мощные полевые МОП транзисторы) Cool Mos Power Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1651 | 1 | 182.70 | ||||||
| 2SD1651 | UNKNOWN |
|
|
|||||
| 2SD1651 | SANYO |
|
|
|||||
| 2SD1651 | SAVANTIC |
|
|
|||||
| 2SD1651 | ISCSEMI |
|
|
|||||
| 2SD1651 |
|
|
||||||
 |
BYV42E-200 | NXP |
|
|
||||
|
|
BYV42E-200 |
|
284.08 | |||||
|
|
BYV42E-200 | NXP | 96 |
|
||||
|
|
BYV42E-200 | PHILIPS | 54 |
|
||||
| IRFR9020TR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRFR9020TR | VISHAY |
|
|
|||||
| IRFR9020TR | INTERNATIONAL RECTIFIER | 43 |
|
|||||
| IRFR9020TR | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
 |
|
TDA8359J |
|
TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A) | NXP |
|
|
|
|
|
|
TDA8359J |
|
TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A) |
|
126.68 | ||
|
|
|
TDA8359J |
|
TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|
|
|
|
TDA8359J |
|
TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A) | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
TDA8359J |
|
TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 331 |
|
|
| К514ИД1 | 24 | 610.50 | ||||||
| К514ИД1 | ДНЕПР |
|
|
|||||
| К514ИД1 | 24 | 610.50 | ||||||
| К514ИД1 | ОПТРОН |
|
|
