SPP04N60S5

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SPP04N60S5		208.80

Версия для печати

Технические характеристики SPP04N60S5

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	580pF @ 25V
Power - Max	50W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	PG-TO220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPP04N60S5 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Cool Mos Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPP04N60S5 datasheet
324.29Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SB647	Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz	HITACHI
2SB647	Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz	HIT
2SB647	Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz			15.20
2SB647	Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz	КИТАЙ
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)	SANYO
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)			119.00
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)	SAN
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)	ISCSEMI
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SANYO	4	143.64
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт		1	127.26
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SAN
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISCSEMI
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISC	1 142	24.22
IRFR3412	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFR3412	Hexfet power mosfets discrete n-channel		2	111.00
ВПТ19 0.5 А			7 200	8.40