| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
0805-X7R-1000PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 1000пФ, 50В, 0805, X7R, 10%
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
0805-X7R-1000PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 1000пФ, 50В, 0805, X7R, 10%
|
|
110
|
3.00
|
|
 |
|
2SC2240 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SC2240 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)
|
|
|
13.08
|
|
|
|
|
2SC2240 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SC2240 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2SC2240 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,1A, 0,3W, 100MHz)
|
BLUEROCK
|
|
|
|
|
|
|
3266P-1-203 |
|
20 кОм, резистор подстроечный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3266P-1-203 |
|
20 кОм, резистор подстроечный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3266P-1-203 |
|
20 кОм, резистор подстроечный
|
|
|
51.92
|
|
|
|
|
3266P-1-203 |
|
20 кОм, резистор подстроечный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 1/4``
|
|
|
51.68
|
|
|
|
|
3266W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 1/4``
|
BOCHEN
|
562
|
19.21
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
JRC
|
1 244
|
23.51
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
|
4
|
68.04
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
JRC
|
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
NJR
|
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
789
|
|
|
Версия для печати
