| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
144
|
113.65
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
|
|
220.00
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
25
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
638
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
DC COMPONENTS
|
8 913
|
1.72
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
|
12 313
|
1.10
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
NGBO YOUNG ELECTRON
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
КИТАЙ
|
80
|
7.81
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
MIG
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
MIC
|
6 578
|
1.38
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
KINGTRONICS
|
7
|
3.10
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 683
|
1.94
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
YJ
|
176
|
2.07
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
WUXI XUYANG
|
23 853
|
1.85
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
YANGJIE
|
11 600
|
1.71
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
HOTTECH
|
18 800
|
1.20
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
1
|
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
CTK
|
30
|
1.68
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
KEEN SIDE
|
4 296
|
1.04
|
|
|
|
|
MF-0.125-12.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-12.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
21
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
|
MF-0.25-470 5% |
|
Резистор постоянный металлодиэлектрический 0.25Вт, 470Ом, 5%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-470 5% |
|
Резистор постоянный металлодиэлектрический 0.25Вт, 470Ом, 5%
|
|
|
2.84
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
|
4 918
|
3.70
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
НИИПП ТОМСК
|
40
|
97.00
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
РОССИЯ
|
126
|
3.07
|
|
Версия для печати
