BFG540.215

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2200МКФ 25В (13X26) 105°C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
2200МКФ 25В (13X26) 105°C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25В			43.20
BFG520.215	NPN-HF 15V 75mA 9GHz	NXP
MMBFJ310LT1G				26.00
MMBFJ310LT1G		ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ310LT1G		ONS	14	40.34
MMBFJ310LT1G		ON SEMICONDUCTOR	71
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	MICRO CHIP
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В		576	140.80
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	MICRO CHIP
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	Microchip Technology
PIC16F630-I/P	1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В	ТАИЛАНД
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MITSUBISHI
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MIT
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)			331.04
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	МАЛАЙЗИЯ