| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
DC COMPONENTS
|
2 937
|
58.13
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
|
139
|
53.65
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
FAIRCHILD
|
51
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
 |
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
КРЕМНИЙ
|
4
|
982.80
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
|
128
|
202.40
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
26
|
449.82
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
1 312
|
16.65
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
280
|
90.02
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
258
|
36.12
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
761
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
112
|
19.60
|
|
|
|
|
КУ202К1 |
|
|
|
|
76.80
|
|
|
|
|
КУ202К1 |
|
|
СЗТП
|
8
|
98.28
|
|
|
|
|
КУ202К1 |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
|
24
|
94.50
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
СЗТП
|
8
|
75.60
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
Версия для печати
