| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
10CTQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 10A(2x5)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
10CTQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 10A(2x5)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
10CTQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 10A(2x5)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
10CTQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 10A(2x5)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
10CTQ150PBF |
|
Диод Шоттки 150V 10A(2x5)
|
|
42
|
111.60
|
|
 |
 |
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
|
1
|
309.96
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
PAL007B |
|
|
PIONEER
|
|
|
|
|
|
|
PAL007B |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
PAL007B |
|
|
|
|
2 022.72
|
|
|
|
|
PAL007B |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
PAL007B |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
К73-9-4700ПФ 630В (5%) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
208
|
1 171.20
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
160
|
1 292.70
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
Версия для печати
