| Структура | n-p-n |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 15 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В | 15 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) | 0.03 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц | 900.00 |
| Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) | 0.225 |
| Корпус | KT-1-12 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
11 078
|
34.96
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
1 277
|
63.00
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
190
|
76.80
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
|
159
|
1 288.00
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
МИНСК
|
5
|
1 260.00
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 399
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
|
2Т326А |
|
|
|
1 469
|
113.40
|
|
|
|
|
2Т326А |
|
|
АРСЕНАЛ
|
|
|
|
|
|
|
2Т326А |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
2Т326А |
|
|
ЭЛЕКС
|
128
|
247.97
|
|
|
|
|
2Т326А |
|
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
2Т837В |
|
|
|
11
|
51.80
|
|
|
|
|
2Т837В |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
2
|
126.00
|
|
|
|
|
2Т837В |
|
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
2Т837В |
|
|
ЭЛЕКТР
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
|
|
1 189.44
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
ВОСХОД
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
РОДОН
|
8
|
302.40
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
-
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
МИКРОН
|
1
|
384.00
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
564КП1 |
|
Мультиплексор четырехканальный двойной, КМОП, 4.2 .... 15В, 10мкА
|
ЭКСПОРТ
|
|
|
|
Версия для печати
