| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
3296W 50K |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный 50кОм, 0.75Вт, 10%
|
|
1 251
|
14.01
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
DC COMPONENTS
|
9 047
|
4.84
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
|
8 640
|
2.81
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
RECTRON
|
394
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
YJ
|
1 302
|
9.30
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
SEMTECH
|
1 856
|
14.98
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
DB105 |
|
Диодный мост 1А 600В DB-1
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
КС175А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА
|
|
534
|
21.71
|
|
|
|
|
КС175А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КС175А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС175А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА
|
СЗТП
|
80
|
37.80
|
|
|
|
|
КС175А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА
|
САРАНСК
|
436
|
16.80
|
|
|
|
|
КС175А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КС175А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КС175А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 7.5В, 3 ... 18мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КС210Б2 СТ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КС210Б2 СТ |
|
|
САРАНСК
|
18 731
|
2.10
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
471
|
35.91
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
702
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
