| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
DC COMPONENTS
|
21 552
|
5.46
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
|
4 840
|
3.59
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DB102 |
|
Диодный мост 1А, 100В
|
KEEN SIDE
|
1 840
|
5.61
|
|
|
|
|
SN74LS257BN |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
SN74LS257BN |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SN74LS257BN |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
608
|
100.22
|
|
|
|
|
SN74LS257BN |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
SN74LS257BN |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LS257BN |
|
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
|
SN74LS257BN |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SN74LS257BN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
КД247А |
|
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...
|
|
292
|
8.10
|
|
|
|
|
КД247А |
|
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...
|
САРАНСК
|
62
|
3.72
|
|
|
|
|
КД247А |
|
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД247А |
|
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...
|
СЗТП
|
532
|
12.49
|
|
|
|
|
КД247А |
|
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД247А |
|
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...
|
78
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 556
|
27.90
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
746
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 625
|
33.48
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1415
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
20
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3147
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
240
|
27.60
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
807
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
628
|
33.48
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
20
|
38.80
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1103
|
|
|
|
Версия для печати
