|
|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
IRF9Z34 |
|
Hexfet® power mosfet | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRF9Z34 |
|
Hexfet® power mosfet | INTERNATIONAL RECTIFIER | 40 | 94.48 | |
|
|
|
IRF9Z34 |
|
Hexfet® power mosfet |
|
|
||
|
|
|
IRF9Z34 |
|
Hexfet® power mosfet | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А |
|
107.04 | ||
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC30W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC30W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
191.24 | ||
|
|
|
IRG4PC30W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
|
|
|
КТ8101Б | КРЕМНИЙ | 26 | 187.39 | ||||
|
|
КТ8101Б | 1 | 240.50 | |||||
|
|
КТ8101Б | БРЯНСК |
|
|
||||
|
|
КТ8102Б | КРЕМНИЙ | 52 | 234.24 | ||||
|
|
КТ8102Б |
|
69.68 | |||||
|
|
КТ8102Б | БРЯНСК |
|
|
||||
|
|
КТ8102Б | КРЕМН |
|
|