|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
|
82
|
80.96
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
MIC
|
879
|
41.64
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
---
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
HOTTECH
|
184
|
50.66
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
TRR
|
1 760
|
25.87
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
RUME
|
692
|
24.66
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
|
81 664
|
2.67
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES INC.
|
406
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
23
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
832
|
4.33
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SEP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
17 757
|
3.99
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
3 812
|
12.05
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LGE
|
6 547
|
6.20
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ASEMI
|
619
|
4.81
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNTAN
|
1 997
|
5.33
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
TRR
|
9 600
|
2.95
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNCO
|
43 200
|
4.36
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
|
|
288.00
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
338
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KB
|
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
|
|
104.00
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KGB
|
208
|
231.44
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
49.14
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
|
|
36.56
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
PHILIPINES
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
ST MICROELECT
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
ZH
|
3 840
|
16.22
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
YIXING
|
4 000
|
11.91
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
1
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
ZHONGDI
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
TIP127 |
|
Транзистор биполярный — составной PNP Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP122)
|
LGE
|
596
|
25.88
|
|