ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 ЖЁЛТ. 0.5М

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	NXP
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	PHILIPS
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт			61.20
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	PHILIPS
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	ISCSEMI
BFG540	Транзистор СВЧ 9 ГГц, 15В, 120мA, 0.4 Вт	ISC	1 598	28.37
КТ829Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный		1 147	16.65
КТ829Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ	80	60.48
КТ829Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	БРЯНСК	154	36.12
КТ829Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ФРЯЗИНО	521	16.80
КТ829Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	RUS
КТ829Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЕКТРОНПРИБОР	400	49.14
КТ829Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМН
КТ829Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭДЬТАВ
КТ829Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЬТАВ	300	16.80
КТ829Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	УЛЬЯНОВСК	120	16.80
КТ829Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	109	18.76
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 БЕЛ. 0.5М
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 ЧЁРН. 0.5М
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 СИН. 0.5М