| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-X7R-5600PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 5600 пФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
0805-X7R-5600PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 5600 пФ 50 В
|
|
100
|
1.60
|
|
|
|
|
SQP 5W 27 5% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
|
920
|
13.02
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
КТ315Б1 |
|
|
|
2 458
|
14.51
|
|
|
|
КТ315Б1 |
|
|
КРЕМНИЙ
|
537
|
16.40
|
|
|
|
КТ315Б1 |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ315Б1 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ315Б1 |
|
|
3295
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
4 022
|
14.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
17.18
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
|
|
|