ПРОФИЛЬ АВ0096 0.296 М

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IR2101	PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	230.58
IR2101	PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8			119.28
IR2101	PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	ТАИЛАНД
IR2101	PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	INFINEON
IR2101	PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	1
IR2101	PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	505
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER	20	580.80
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц			1 024.64
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	США
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	INFINEON
MF-1 910 5%
MF-1 1.1K 5%
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...		1 283	31.28
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	КРЕМНИЙ	2 988	33.98
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ТРАНЗИСТОР
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	БРЯНСК	7 393	37.80
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	МИНСК	3 378	37.80
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ЗПП МИНСК
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	RUS
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ИНТЕГРАЛ