КП307Ж1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КП307Ж1	26	22.68
КП307Ж1	26	22.68

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIR
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	PHILIPS
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIRCHILD
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт			62.80
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIRCHILD
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	PHILIPS
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	Fairchild Semiconductor
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FSC
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	ONS	620	28.02
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	ONS-FAIR
КП313В			20	25.20
КП313В		ВИННИЦА
КП313В		ОКТЯБРЬ
КТ3198В (BFR91)
КТ972Г			105	33.49
КТ972Г		МИНСК
КТ972Г		ИНТЕГРАЛ
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 875	30.36
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	6 208	37.80
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR