|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJITSU
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJI ELECTRIC
|
4
|
260.82
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
|
|
228.48
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJI
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJ
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BAT CR2450-BC5 |
|
|
GP
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
DC COMPONENTS
|
1 728
|
28.83
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
|
|
60.44
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
MIC
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
YJ
|
5 408
|
36.78
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
HOTTECH
|
1 426
|
24.77
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
YANGJIE
|
640
|
28.01
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
RUME
|
6 080
|
22.40
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
|
1 036
|
12.95
|
|
|
|
MB10S |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
YT
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
MIC
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
YJ
|
73 780
|
1.37
|
|
|
|
MB10S |
|
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
HOTTECH
|
393 840
|
1.65
|
|
|
|
MB10S |
|
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
KINGTRONICS
|
22
|
1.72
|
|
|
|
MB10S |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
SUNTAN
|
58
|
3.16
|
|
|
|
MB10S |
|
|
YANGJIE
|
10 000
|
1.30
|
|
|
|
MB10S |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
LGE
|
3 120
|
2.07
|
|
|
|
MB10S |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
64
|
6.17
|
|
|
|
MB10S |
|
|
SEP
|
312
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
RUME
|
|
|
|
|
|
MB10S |
|
|
MDD
|
680
|
4.15
|
|
|
|
MB10S |
|
|
TRR
|
48 000
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
MB10S |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
RS207 (2А,1000В) |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
CHINA
|
|
|
|