К78-2-0.22МКФ 250В (10%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс			1 140.00
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	INTERNATIONAL RECTIFIER
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	Vishay/Semiconductors
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SANYO	4	160.06
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт		1	127.26
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SAN
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISCSEMI
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISC	1 088	20.38
ECAP 470/400V 3540	Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400 В, 85С	JAMICON
ECAP 470/400V 3540	Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400 В, 85С			560.00
ECAP 470/400V 3540	Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400 В, 85С	JAM
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY
TOP224Y	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V , Pout=75W max			611.16
TOP224Y	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V , Pout=75W max	Power Integrations
TOP224Y	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V , Pout=75W max	4-7 НЕДЕЛЬ	184