ГТ310Д
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГТ108Б |
|
12.00 | ||||||
| ГТ108Б | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|||||
| ГТ108Б | КВАЗАР |
|
|
|||||
| ГТ109Б | 180 | 18.90 | ||||||
| ГТ109Б | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|||||
| ГТ109Б | КВАЗАР |
|
|
|||||
| ГТ109Г | 68 | 25.20 | ||||||
| ГТ109Г | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|||||
 |
ГТ308В | 1 | 14.80 | |||||
|
|
ГТ308В | НАЛЬЧИК |
|
|
||||
|
|
ГТ308В | МИНСК |
|
|
||||
 |
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 124 | 39.04 | |
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 512 | 33.12 | ||
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР |
|
|
