| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1206 150ОМ 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
ADM483EARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s
|
ANALOG DEVICES
|
18 400
|
51.66
|
|
|
|
ADM483EARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s
|
|
106
|
232.05
|
|
|
|
ADM483EARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADM483EARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADM483EARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADM483EARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADM483EARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADM483EARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ADM483EARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
93
|
|
|
|
|
|
HEF4011BP |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
HEF4011BP |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
NXP
|
80
|
45.29
|
|
|
|
|
HEF4011BP |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
|
|
28.40
|
|
|
|
|
HEF4011BP |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
NEX
|
|
|
|
|
|
|
HEF4011BP |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
755
|
|
|
|
|
MCP73812T-420I/OT |
|
Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP73812T-420I/OT |
|
Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА
|
|
711
|
70.90
|
|
|
|
MCP73812T-420I/OT |
|
Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP73812T-420I/OT |
|
Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
434
|
|
|
|
|
|
TRI-28N-A 150 ОМ 0.25ВТ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TRI-28N-A 150 ОМ 0.25ВТ |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TRI-28N-A 150 ОМ 0.25ВТ |
|
|
|
|
|
|