TMMBAT48

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TMMBAT48	3	10.08
TMMBAT48 (TOSHIBA)	240	3.88

Версия для печати

Технические характеристики TMMBAT48

Корпус	Mini MELF
Корпус (размер)	Mini MELF
Тип монтажа	Поверхностный
Capacitance @ Vr, F	20pF @ 0V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr)	10ns
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr	25µA @ 40V
Current - Average Rectified (Io)	350mA (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	40V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	750mV @ 200mA
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TMMBAT 48

Small Signal Schottky Diodes

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

TMMBAT48 datasheet
65.88Kb
5стр.

Синонимы от поставщиков: TMMBAT48 ; TMMBAT48 ; диод TMMBAT48 ;

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
293D107X9020E2TE3		VISHAY	2 490	90.27
293D107X9020E2TE3		Vishay/Sprague
293D107X9020E2TE3
CC1206KKX7R9BB105	Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В	YAGEO	114 078	1.02
CC1206KKX7R9BB105	Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В			33.48
CC1206KKX7R9BB105	Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC1206KKX7R9BB105	Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
LM4871M/NOPB		National Semiconductor
LM4871M/NOPB		TEXAS
LM4871M/NOPB		TEXAS INSTRUMEN
LM4871M/NOPB		TEXAS INSTRUMENTS	271	60.02
LM4871M/NOPB
LTST-C150KRKT		LITE ON OPTOELECTRONICS
LTST-C150KRKT		LITE ON OPTOELECTRONICS
LTST-C150KRKT		Lite-On Inc
LTST-C150KRKT		LITE-ON
LTST-C150KRKT
LTST-C150KRKT		LIT
SSB44-E3/52T		VISHAY	9	15.26
SSB44-E3/52T
SSB44-E3/52T		Vishay/General Semiconductor
SSB44-E3/52T		GENERAL SEMICONDUCTOR	157
SSB44-E3/52T		12