QRZ 0.0380000 МГЦ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIR
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	PHILIPS
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIRCHILD
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт			62.80
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIRCHILD
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	PHILIPS
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	Fairchild Semiconductor
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FSC
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	ONS
J113	Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	ONS-FAIR
КП307Ж1
КП307Ж1
КП501В			36	15.12
КП501В		МИНСК	140	21.20
КП501В		ИНТЕГРАЛ	266	21.08
КП501В		175
КТ972Г			48	33.49
КТ972Г		МИНСК
КТ972Г		ИНТЕГРАЛ
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 779	30.36
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	5 592	38.16
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ	1	72.64
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	7021