Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
Power - Max | 250mW |
Frequency - Transition | 220MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4933 (1A 50V) |
|
|
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
41 049
|
1.49
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
LIJIE ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YJ ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MIC
|
8 059
|
2.34
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
266
|
4.91
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
|
5 270
|
1.41
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
KINGTRONICS
|
18 204
|
2.10
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YJ
|
1 440
|
2.07
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
LIJIE EL
|
1
|
1.64
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
2 077
|
3.60
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MIG
|
3 200
|
2.10
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
2 837
|
3.43
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 938
|
56.83
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
|
1 660
|
16.42
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
UMW
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
YOUTAI
|
2 713
|
12.78
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
283
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
3.56
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONS
|
130 193
|
2.25
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 858
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
|
|
6.00
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONS
|
20 124
|
3.27
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6 564
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FAIRCHILD
|
62
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FUXIN
|
9 734
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|