BAT42

Диод Шоттки 30V 0,2A DO35

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BAT42 (SGS THOMSON.)	210	3-4 недели Цена по запросу
BAT42 (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	1 099	3-4 недели Цена по запросу

Слабосигнальный диод шотки

Диод Шотки общего назначения
Малое напряжение включения
Защита от электростатического разряда
Так же доступен в корпусах SOD-123 (BAT42W-V) и MiniMELF (LL42)
Бессвинцовая технология

Версия для печати

Технические характеристики BAT42

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 200mA
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Current - Average Rectified (Io)	200mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr	500nA @ 25V
Diode Type	Schottky
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)	5ns
Capacitance @ Vr, F	7pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AH, DO-35, Axial
Корпус	DO-35

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BAT42WS (Диоды Шотки)

Surface Mount Schottky Barrier Diode

Также в этом файле: BAT42WS-T1, BAT42WS-T3

Производитель:
Won-Top Electronics
//www.wontop.com

BAT42 datasheet
32.59Kb
2стр.

Синонимы от поставщиков: BAT42 ; BAT-42 ; BAT 42 ; BAT — 42 ; BAT42 ; диод BAT42 ;

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MICRO SEMICONDUCTOR
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAIR
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL INSTRUMENT
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL SEMICONDUCTOR
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MOTOROLA
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ON SEMICONDUCTOR
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	PHILIPS
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A		24 417	1.71
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ST MICROELECTRONICS	3 941	14.88
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	DC COMPONENTS	10 982	3.65
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	SMK
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAIRCHILD
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAIRCHILD	246
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL INSTRUMENT
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL SEMICONDUCTOR	172
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MOTOROLA	4
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ON SEMICONDUCTOR	35
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	PHILIPS
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	Fairchild Semiconductor
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	Vishay/Semiconductors
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	STMicroelectronics
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAGOR	16
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	КИТАЙ	26	9.45
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	KINGTRONICS
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MASTER INSTRUMENT	400	9.45
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MIG	3 608	3.15
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	LGE	2 960	2.07
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MIC	6 494	3.92
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	YANGJIE	4 000	2.14
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	HOTTECH	6 115	2.28
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	TRR
1N5818	Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	1
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	8 785	2.64
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	8.69
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	4 008	3.29
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		14 452	1.26 >100 шт. 0.63
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR	8	7.18
2N3904	Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.34
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	NXP
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIR
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTRONICS
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIRCHILD
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	UNKNOWN
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIRCHILD
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	NXP	128
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	STMICROELECTRONICS
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	Fairchild Semiconductor
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	INCHANGE SEMIC
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTR
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST1
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FSC
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ISC	123	58.42
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS			45.48
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	PHILIPS
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FSC1
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTRO
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ONS
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ONS-FAIR
BUT11A	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	1
LP2951		UTC
ST13009	Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS	ST MICROELECTRONICS	628	136.92
ST13009	Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS			74.80
ST13009	Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS	STMicroelectronics
ST13009	Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS	ST1
ST13009	Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS	ST MICROELECTRO

BAT42

Диод Шоттки 30V 0,2A DO35

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают: