561ЛП2

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
16K1 F 500K			14 172	14.46
16K1 F 500K		RUICHI
16K1 F 500K			14 172	14.46
К 561 ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
К73-17-250-0.1 10% ИМП.	Комбинированный конденсатор 0.1мкФ, 250В, 10%	SUNTAN
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...		3 941	28.00
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	МИНСК	9 511	32.00
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ЗПП МИНСК
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	RUS
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ-С
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		3 584	10.80
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	701	16.83
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЕКС
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ