STB21

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STB21		319.52

Версия для печати

Технические характеристики STB21

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 8.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1950pF @ 100V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB210NF02 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-CHANNEL 20V - 0.0026 Ohm - 120A DР†PAK / IР†PAK / TO-220 STripFETTM II POWER MOSFET

Также в этом файле: STB210NF02-1, STB210NF02T4, STB210NF02T4, STB210NF02, STB210NF02-1

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STB21 datasheet
610.74Kb
14стр.