| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
|
|
34.00
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
---
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
375
|
|
|
|
|
|
К73-150.1МКФ 100 (10%) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ 3107 Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
|
364
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
ПЛАНЕТА
|
958
|
42.00
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ803А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
|
124.80
|
|
|
|
|
КТ803А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ803А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
Версия для печати
