![]() |
|
Коммутируемое напряжение | Пост/перем. |
Управляющий ток,мА | 10 |
Выходной каскад | МОП реле(2з) |
Контакты | НР |
Коммутируемое пост.напряжение ,В | -400...400 |
Коммутируемое переменное напряжение ,В | 0...400 |
Максимальный ток нагрузки ,А | 0.06 |
Время включения макс.,мс | 2 |
Время выключения макс,,мс | 2 |
Сопротивление в открытом состоянии макс.,Ом | 40 |
Напряжение изоляции,кВ | 1.5 |
Рабочая температура, С | -45...85 |
Корпус | DIP-8 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
10МКФ 16В (4X5) 105°С |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ, 16В |
![]() |
13.60 | ||||
2SK2382 | TOSHIBA |
![]() |
![]() |
|||||
2SK2382 |
![]() |
![]() |
||||||
2SK2382 | TOS |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | SIEMENS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W |
![]() |
130.36 | ||
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | Infineon Technologies |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ISC |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | 1 |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
MMBD352WT1 |
![]() |
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|
![]() |
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | INFINEON |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | MOTOROLA |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | MOTOROLA | 52 |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 3 265 |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | Infineon Technologies |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | INFINEON | 2 084 |
![]() |
|
Корзина
|