|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC5200-O + 2SA1943-O (ПАРА) ORG |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC5200-O + 2SA1943-O (ПАРА) ORG |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SQP-5 РЕЗИСТОР 5 ВТ 0.22ОМ (CRL-5W 0.22 ОМ 5% 5ВТ AXIAL) |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
|
|
34.00
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
---
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
375
|
|
|
|
|
КР174УН31 |
|
|
|
|
41.72
|
|
|
|
КР174УН31 |
|
|
АНГСТРЕМ
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
595
|
29.44
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 424
|
34.12
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
962
|
37.80
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
20
|
38.40
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|