К50-35-50В-1МКФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MF-0.125-10.0K 1%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 10кОм, 1%	CHINA
MF-0.125-10.0K 1%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 10кОм, 1%			2.80
TA8251AH	Усилитель низкой частоты 4x18W BTL (13.2V/4 Ом), max 4x30W	TOSHIBA	4	940.86
TA8251AH	Усилитель низкой частоты 4x18W BTL (13.2V/4 Ом), max 4x30W
TA8251AH	Усилитель низкой частоты 4x18W BTL (13.2V/4 Ом), max 4x30W	TOS
TA8251AH	Усилитель низкой частоты 4x18W BTL (13.2V/4 Ом), max 4x30W	4-7 НЕДЕЛЬ
К50-35-100В-10МКФ
К50-35-100В-4.7 МКФ
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный		747	104.16
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	КРЕМНИЙ	80	89.79
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	БРЯНСК
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	RUS
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	101
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	464
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	92
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	4