IRFS640B


Купить IRFS640B ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFS640B
Версия для печати

Технические характеристики IRFS640B

СтруктураN-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм180
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт43
Крутизна характеристики S,мА/В13000
КорпусTO220F
Пороговое напряжение на затворе4
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    2SD1651[C]     SAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
DM0365R SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
DM0365R SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w     1 249.48 
DM0365R SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
DM0365R SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w   4-7 НЕДЕЛЬ 784 цена радиодетали
STP4NK60Z N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot   ST MICROELECTRONICS 400 71.87 
STP4NK60Z N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot     Заказ радиодеталей 123.56 
STP4NK60Z N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP4NK60Z N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP4NK60Z N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UF5407     DC COMPONENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UF5407     SMK Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход