Версия для печати
Технические характеристики H11L1M

Количество каналов	1, Unidirectional
Voltage - Isolation	7500Vpk
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип входа	DC
Тип монтажа	Выводной
Корпус	6-DIP
Корпус (размер)	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип выхода	Open Collector, Schmitt Trigger
Current - DC Forward (If)	1.6mA
Скорость передачи данных	1MHz
Ток выходной / канал	50mA
Output Type	Open Collector, Schmitt Trigger

H11L1MT Оптрон 7500Вт, 60мА, 200В, 0.65мкс Также в этом файле: H11L1MT-M, H11L1MTV, H11L1MTV-M Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com H11L1M datasheet 341,86kB 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Логический выход

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	24 581	2.18
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	158 014	2.48
		1N4007			DIOTEC	61 836	3.07
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	42 012	2.62
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	5.47
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				235 790	1.30
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	22	1.63
		1N4007			HOTTECH
		1N4007			KLS	440	2.07
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	44 896	1.56
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	4 792	1.26
		1N4007			TWGMC	75 956	1.06
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING
		1N4007			ASEMI
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		1N4007			KEEN SIDE	199 359	1.16  >100 шт.   0.58
		1N4007			MERRYELC
		1N4007			82582
		1N4007			81682
		1N4007			TRR	361 903	1.38  >100 шт.   0.69
		1N4007			71682
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	FAI/QTC
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	FSC
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	FAIR
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	QT OPTOELECTRONICS
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения			33.80
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	QT OPTOELECTRONICS
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	Fairchild Optoelectronics Group
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	Lite-On Inc
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	FAIRCHILD	1 592
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	FAIRCHILD
		4N25M		Фототранзисторный оптрон общего назначения	ONS
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	INFINEON
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	NXP
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000			34.76
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	PHILIPS
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	PHILIPS	40
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	МАЛАЙЗИЯ
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	NXP
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	HOTTECH	5	31.93
		BSP62		Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000	JSMICRO
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ON SEMICONDUCTOR
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	MOTOROLA
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	NSC	266	78.86
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ONS
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	MOTOROLA
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ON SEMICONDUCTOR
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	OTHER
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	NATIONAL SEMICONDUCTOR	16
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	Linear Technology
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	МАЛАЙЗИЯ
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ФИНЛЯНДИЯ
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	TEXAS
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm			48.44
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	TEXAS INSTRUMENTS
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	4-7 НЕДЕЛЬ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		24 035	12.46
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	2 004	12.49
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	16883
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	7000
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	7364
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	2671

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"