FSDM07652R

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FSDM07652R (ONS)	5	248.44
FSDM07652R (4-7 НЕДЕЛЬ)	314	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FSDM07652R

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
93LC46-I/SN			308	55.50
93LC46-I/SN		MICRO CHIP
93LC46-I/SN		Microchip Technology
93LC46-I/SN			308	55.50
93LC46-I/SN		MICRO CHIP	118
93LC46-I/SN		4-7 НЕДЕЛЬ	411
ECAP 100/450V 2535 20% 85C 057PSM-S	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 450 В	VISHAY
ECAP 100/450V 2535 20% 85C 057PSM-S	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 450 В
IRFZ46N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W	INTERNATIONAL RECTIFIER	266	83.16
IRFZ46N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W		97	37.72
IRFZ46N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W	КИТАЙ
IRFZ46N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFZ46N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W	INFINEON
IRFZ46N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W	1
LA4743B	УНЧ 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=32dB	SANYO	8	767.34
LA4743B	УНЧ 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=32dB			541.40
LA4743B	УНЧ 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=32dB	SAN
LA4743B	УНЧ 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=32dB	ГЕРМАНИЯ
LA4743B	УНЧ 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=32dB	4-7 НЕДЕЛЬ	246
ТДКС32-04
ТДКС32-04		КИТАЙ