|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
14 129
|
2.29
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
19 219
|
3.25
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
566 745
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
45 726
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.63
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
7 462
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
144 347
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
79 200
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
172 515
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BT138-800E |
|
Симистор
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT138-800E |
|
Симистор
|
|
1 480
|
20.17
|
|
|
|
BT138-800E |
|
Симистор
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BT138-800E |
|
Симистор
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT138-800E |
|
Симистор
|
PHILIPS
|
532
|
75.60
|
|
|
|
BT138-800E |
|
Симистор
|
NXP/NEXPERIA
|
9
|
72.93
|
|
|
|
BT138-800E |
|
Симистор
|
WEEN
|
31
|
130.17
|
|
|
|
KID65003AP (ULN2003A) |
|
|
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
NXP
|
3 324
|
10.50
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
PHILIPS
|
800
|
22.68
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
|
5 400
|
3.18
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
MOTOROLA
|
480
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
1
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 048
|
41.75
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
|
118
|
42.55
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
ALLEGRO MICROSYSTEMS INC
|
15
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
ULN2004A |
|
ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
298
|
|
|