Версия для печати
Технические характеристики IRFBF30

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFBF30 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =3.7ohm, Id=3.6a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFBF30 datasheet 169.62Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	VISHAY
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...		4	151.20
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	Vishay/Siliconix
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	КИТАЙ
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	1
		ВП1-1В 3.15А		Вставка плавкая (предохранитель) для защиты электрических сетей от перегрузок и токов ...			17.72
		К1156ЕУ3Р					168.00
		К1156ЕУ3Р			НТЦ СИТ
		К1156ЕУ3Р			НТЦ
		К1156ЕУ3Р			СИТ
		К1156ЕУ3Р			КРЕМНИЙ	8	257.04
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...		3	35.15
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИКРОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МЕЗОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ	80	578.59
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОДОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ХАБАРОВСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%			6.60
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%	SUNTAN
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%	КЗК
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%	КИТАЙ
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%	ПРОМТЕЗКЗК
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%	ПРОМТЕХКЗК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"