Версия для печати
Технические характеристики TDA1572T/V3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Частота	AM
Modulation or Protocol	AM
Сфера применения	AM Radio Receiver
Current - Receiving	25mA
Интерфейс подключения	PCB, Surface Mount
Antenna Connector	PCB, Surface Mount
Напряжение питания	7.5 V ~ 14 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Корпус	20-SOIC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Радиочастотные компоненты (RF и RFID)

 » 

RF ресиверы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ADG821BRMZ		2 ключа на два направления, Uп=1.8:5.5В, 30МГц, tвкл=40нс, tвыкл =16нс, -40°C..+85°C, ...	ANALOG DEVICES
		ADG821BRMZ		2 ключа на два направления, Uп=1.8:5.5В, 30МГц, tвкл=40нс, tвыкл =16нс, -40°C..+85°C, ...	ANALOG
		ADG821BRMZ		2 ключа на два направления, Uп=1.8:5.5В, 30МГц, tвкл=40нс, tвыкл =16нс, -40°C..+85°C, ...	Analog Devices Inc
		ADG821BRMZ		2 ключа на два направления, Uп=1.8:5.5В, 30МГц, tвкл=40нс, tвыкл =16нс, -40°C..+85°C, ...
		ADG821BRMZ		2 ключа на два направления, Uп=1.8:5.5В, 30МГц, tвкл=40нс, tвыкл =16нс, -40°C..+85°C, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	511
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	351 724	1.33
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	110 596	2.06
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		59 591	1.34  >100 шт.   0.67
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	4.91
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	1 232 488	1.38  >500 шт.   0.46
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	568	1.88
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	338 243	1.19
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	342	1.36
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	6 466	1.57
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	232 800	1.74  >100 шт.   0.87
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	1 595 328	1.04
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	245 824	1.10
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	112 000	1.03
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	367 527	1.62  >100 шт.   0.81
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	20 544	1.28  >100 шт.   0.64
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 710	1.68
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	CJ	8 000	5.12
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOU YANGJIE	67 702	2.11
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAI/QTC
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	ON SEMICONDUCTOR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	PHILIPS
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FSC
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIRCHILD
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIRCHILD
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	OTHER
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	PHILIPS
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	Fairchild Semiconductor
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NXP
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA			15.04
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	FAIR
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	PHILIPS
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	FAIRCHILD
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92			12.28
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	FAIRCHILD
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	PHILIPS
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	Fairchild Semiconductor
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	ONS-FAIR
		LMC6482AIN			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMC6482AIN			NSC
		LMC6482AIN					171.36
		LMC6482AIN			ТАИЛАНД
		LMC6482AIN			TEXAS
		LMC6482AIN			4-7 НЕДЕЛЬ	244

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"