STS1NK60Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STS1NK60Z (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	2 096	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STS1NK60Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 Ohm @ 400mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	250mA
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	94pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STS1NK60Z (MOSFET)

N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STS1NK60Z datasheet
301.7 Кб