Версия для печати
Технические характеристики HEF4040BP.652

Производитель	NXP
Количество в упаковке	25 шт.
Вес	1.800 г
Корпус (размер)	DIP16

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5400		Диод 3А, 50В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	DIODES
		1N5400		Диод 3А, 50В	FAIR
		1N5400		Диод 3А, 50В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5400		Диод 3А, 50В	MSIS
		1N5400		Диод 3А, 50В	ON SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	TAITRON COMPONENTS
		1N5400		Диод 3А, 50В	DC COMPONENTS	4 612	5.83
		1N5400		Диод 3А, 50В	SMK
		1N5400		Диод 3А, 50В	FAIRCHILD	140	6.36
		1N5400		Диод 3А, 50В	FAIRCHILD
		1N5400		Диод 3А, 50В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5400		Диод 3А, 50В	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N5400		Диод 3А, 50В	MSIS SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	TAITRON COMPONENTS
		1N5400		Диод 3А, 50В	Fairchild Semiconductor
		1N5400		Диод 3А, 50В	MICROSEMI CORP
		1N5400		Диод 3А, 50В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5400		Диод 3А, 50В	MOTOROLA	121
		1N5400		Диод 3А, 50В	КИТАЙ
		1N5400		Диод 3А, 50В	KINGTRONICS
		1N5400		Диод 3А, 50В	DIOTEC	2 720	10.52
		1N5400		Диод 3А, 50В		10	15.12
		1N5400		Диод 3А, 50В	MIC
		1N5400		Диод 3А, 50В	SEMTECH
		1N5400		Диод 3А, 50В	SUNTAN	386	6.55
		1N5400		Диод 3А, 50В	KLS
		1N5400		Диод 3А, 50В	1
		1N5400		Диод 3А, 50В	KEEN SIDE	8 170	1.83
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	FAIR
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	MCC
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )		1 788	2.39
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP	16 000
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS	28 085
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NEXPERIA
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SUNTAN
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	WUXI XUYANG	9 404	1.46
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SEMTECH	78	1.93
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	HOTTECH	58	1.90  >100 шт.   0.95
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	1
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PLINGSEMIC	36 608	1.68  >100 шт.   0.84
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	NEC
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц			44.88
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMEN
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	1
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	250
		RES 0805 3K9 5%			ROY
		RES 0805 3K9 5%			YAGEO
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS INSTRUMENTS	1 608	14.84
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us		796	22.20
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS INSTRUMENTS	20
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS INSTRUMEN
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	1
		TL061CP		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	4-7 НЕДЕЛЬ	450

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"