| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
3 200
|
1.70
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
21 577
|
2.80
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
1 524
|
2.69
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
21 604
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
581 734
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DCCOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
94 224
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
11 200
|
1.03
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
151 200
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEFAN
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
162 087
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEXPERIA
|
28 860
|
1.22
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PLINGSEMIC
|
152 376
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEEN SIDE
|
138
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
253
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
RUME
|
153 600
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NXP
|
44
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
PHILIPS
|
92
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
422
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
|
13.76
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
63 993
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
20 944
|
3.67
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
4 193
|
2.04
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
32 567
|
5.28
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
14 144
|
2.07
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1962
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
|
|
16.40
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
США
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
YJ
|
2 570
|
2.58
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
SHIKUES
|
1 519
|
1.99
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
HOTTECH
|
22 240
|
1.03
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
JSCJ
|
58 172
|
3.36
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
CJE
|
88
|
4.50
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
SUNTAN
|
10 448
|
2.34
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
KEEN SIDE
|
1 792
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
ASEMI
|
481
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
27800
|
|
|
|
|
|
MCP73812T-420I/OT |
|
Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP73812T-420I/OT |
|
Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА
|
|
711
|
70.90
|
|
|
|
MCP73812T-420I/OT |
|
Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP73812T-420I/OT |
|
Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
434
|
|
|