BFG135.115
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BFG135,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BFG135,115 |
|
NXP |
|
|
||
| BFG135AE6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| MMBFJ310LT1G |
|
26.00 | ||||||
| MMBFJ310LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBFJ310LT1G | ONS |
|
|
|||||
| MMBFJ310LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 81 |
|
|||||
 |
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий | NEC |
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий | 1 | 315.00 | ||
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий | TEXAS |
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий | TEXAS INSTRUMENTS | 84 |
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий | 1 |
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий | 4-7 НЕДЕЛЬ | 401 |
|
|
 |
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) | MITSUBISHI |
|
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) | MIT |
|
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) |
|
331.04 | ||
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
